TI推出新一代1UF 50V 3A DDR 端接稳压器

　　日前，德州仪器 (TI) 公布推出一款可满意 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各类低功耗存储器终端电源打点要求的汲极／源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。该轻便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20 μF，比同类竞争办理方案的电容低落了近 80%。这样，设计人员可操作该器件实现更低本钱、更小型化的 DDR 存储器终端办理方案，以满意数字电视、机顶盒、VGA 卡、电信、数据通信、条记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产物以及日益富厚的消费类电子产物的需求。

　　高宽带内部跨导， 100UF 25V，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，并且外部输出电容极小。在负载变换幅度为 -1.5A ～+1.5A的典范应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置电压下事情，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。另外，在RAM暂停事情时，该器件还支持S3 睡眠状态节制。

　　TPS51200 也可用作输入电压范畴为 1.1V～3.5 V 的通用高机能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚毗连至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电成果，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。

　　TPS51200 的推出进一步加强了 TI 富厚的 DDR 存储器电源办理方案系列，个中包罗支持TPS51100 DDR 终端稳压器， 22UF 63V，集成汲极／源极 LDO 的 TPS51116 DDR 电源转换开关以及支持 DDR 终端的 TPS40042 低电压跟踪开关稳压器。TPS51200 还进一步富厚了 TI 面向存储器技能规模已经很是遍及的 DDR、DDR2 与 DDR3 锁相环 (PLL) 以及 LDO 产物，个中包罗 SN74SSQE32882，作为支持寄存式双列直插式存储器模块的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，现已全面投入量产。
 
　　供货环境
　　回收散热机能加强型 SON-10 PowerPADTM集成电路封装的 TPS51200 产物现已批量上市，可通过 TI 及其授权分销商订购。