晶振与晶体的33UF 10V区别与参数先容

　　1) 晶振是有源晶振的简称，又叫振荡器。英文名称是oscillator。晶体则是无源晶振的简称，也叫谐振器。英文名称是crystal。

　　2) 无源晶振(晶体)一般是直插两个脚的无极性元件，需要借助时钟电路才气发生振荡信号。常见的有49U、49S封装。

　　3) 有源晶振(晶振)一般是表贴四个脚的封装，内部有时钟电路，只需供电便可发生振荡信号。一般分7050、5032、3225、2520几种封装形式。

　　2. MEMS硅晶振与石英晶振区别

　　MEMS硅晶振回收硅为原质料，回收先进的半导体工艺制造而成。因此在高机能与低本钱方面，有明明于石英的优势，详细表示在以下方面：

　　1) 全自动化半导体工艺(芯片级)，无气密性问题，永不断振。

　　2) 内部包括温补电路，无温漂，-40—85℃全温担保。

　　3) 平均无妨碍事情时间5亿小时。

　　4) 抗震机能25倍于石英振荡器。

　　5) 支持1-800MHZ任一频点，准确致小数点后5位输出。

　　6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种事情电压匹配。

　　7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各类精度匹配。

　　8) 支持7050、5032、3225、2520所有尺度尺寸封装。

　　9) 尺度四脚、六脚封装，无需任何设计窜改，直接替代石英振荡器。

　　10) 支持差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产物种类。

　　11) 300%的市场增长率，三年内有望替代80%以上的石英振荡器市场。

　　3. 晶体谐振器的等效电路

　　上图是一个在谐振频率四周有与晶体谐振器具有沟通阻抗特性的简化电路。个中：C1为动态电容也称等效串联电容;L1为动态电感也称等效串联电感;R1为动态电阻也称等效串联电阻;C0为静态电容也称等效并联电容。

　　这个等效电路中有两个最有用的零相位频率，个中一个是谐振频率(Fr)，另一个是反谐振频率(Fa)。当晶体元件实际应用于振荡电路中时，它一般还会与一负载电容相联接，配合浸染使晶体事情于Fr和Fa之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件， VT贴片铝电解电容，就可以在有限的范畴内调理晶体频率。

　　4. 要害参数

　　4.1 标称频率

　　指晶体元件类型中所指定的频率，也即用户在电路设计和元件选购时所但愿的抱负事情频率。

　　4.2 调解频差

　　基准温度时，事情频率相对付标称频率的最大答允偏离。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.3 温度频差

　　在整个温度范畴内事情频率相对付基准温度时事情频率的答允偏离。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.4 老化率

　　指在划定条件下，由于时间所引起的频率漂移。这一指标对紧密晶体是须要的，但它“没有明晰的试验条件，而是由制造商通过对所有产物有打算抽验举办持续监视的，某些晶体元件大概比划定的程度要差，这是答允的”(按照IEC的通告)。老化问题的最好办理要领只能靠制造商和用户之间的密切协商。

　　4.5 谐振电阻(Rr)

　　指晶体元件在谐振频率处的等效电阻，当不思量C0的浸染，也近似便是所谓晶体的动态电阻R1或称等效串联电阻(ESR)。这个参数节制着晶体元件的品质因数，还抉择所应用电路中的晶体振荡电平，因而影响晶体的不变性乃至是否可以抱负的起振。所以它是晶体元件的一个重要指标参数。一般的，对付一给定频率，选用的晶体盒越小，ESR的平均值大概就越高;绝大大都环境，在制造进程中并不能估量详细某个晶体元件的电阻值，而只能担保电阻将低于类型中所给的最大值。

　　4.6 负载谐振电阻(RL)

　　指晶体元件与划定外部电容相串联，在负载谐振频率FL时的电阻。对一给定晶体元体，其负载谐振电阻值取决于和该元件一起事情的负载电容值，串上负载电容后的谐振电阻，老是大于晶体元件自己的谐振电阻。

　　4.7 负载电容(CL)

　　与晶体元件一起抉择负载谐振频率FL的有效外界电容。晶体元件类型中的CL是一个测试条件也是一个利用条件，这个值可在用户详细利用时按照环境作适当调解，来微调FL的实际事情频率(也即晶体的制造公差可调解)。但它有一个符合值，不然会给振荡电路带来恶化，其值凡是回收10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，个中当CL标为∝时暗示其应用在串联谐振型电路中，不要再加负载电容，而且事情频率就是晶体的(串联)谐振频率Fr。用户该当留意，对付某些晶体(包罗不封装的振子应用)，在某一出产类型既定的负载电容下(出格是小负载电容时)，±0.5pF的电路实际电容的毛病就能发生±10×10-6的频率误差。因此，负载电容是一个很是重要的订货类型指标。

　　4.8 静态电容(C0)

　　等效电路静态臂里的电容。它的巨细主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。

　　4.9 动态电容(C1)

　　等效电路中动态臂里的电容。它的巨细主要取决于电极面积，别的还和晶片平行度、微调量的巨细有关。

　　4.10 动态电感(L1)

　　等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量。

　　4.11 谐振频率(Fr)