功率场效应晶CK系列电解电容体管(MOSFET)道理

e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管

全球电子元器件与开拓处事分销商e络盟公布供给安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，可以或许以较低的本钱开拓出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改造电源机能。跟着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化程度势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正办理这些问题的有效方案。   GaN技能打破了硅基IGBT和SiC等现有技能的诸多范围，可为各类功率转换应用带来直接和间接的机能效益。在电动车规模，GaN技能可直接低落功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程

颁发于 2020-09-18

东芝面向超低功率MCU开拓隧穿场效应晶体管

    东京—东芝公司（TOKYO：6502）本日公布面向超低功率微节制器（MCU）开拓回收新事情道理的隧穿场效应晶体管（TFET）。该事情道理已经被应用到利用CMOS平台兼容工艺的两种差异的TFET开拓中。通过将每种TFET应用到一些电路块中，可实现大幅低落MCU的功耗。     9月9日和10日，东芝在日本筑波举行的2014年固态元件与质料（SSDM）国际集会会议上的三场展览中展示了其TFET。个中的两次展览是成立在与日本财富技能综合研究所（AIST）相助研究团队绿色纳米电子中心（GNC）的连系研究的基本上。     无线设备和移动设备

颁发于 2014-10-17

新型高耐压功率场效应晶体管

layer; On resistance; SCSOA  1   引言     在功率半导体器件中，MOSFET以其高开关速度，低开关损耗，低驱动损耗等特点而在各类功率调动， 680uf 35v，出格是在高频功率调动中饰演着主要脚色。但跟着MOS耐压的提高，其导通电阻也随之以2.4～2.6次幂增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度低落额定电流， 47UF 35V，以折中额定电流、导通电阻和本钱之间的抵牾。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻发生的导通压降仍居高不下，如表1所示。 表1管芯面积临近，耐压差异的MOSFET的导通压降和新型布局MOSFET的导通压降

颁发于 2011-05-20

功率场效应晶体管MOSFET

1.概述　　　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）操作电场的效应来节制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但凡是主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感到晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来节制漏极电流，驱动电路简朴，需要的驱动功率

颁发于 2007-05-28