ST贴片铝电解电容奈何用最小的价钱低落MOS的失效率？

　　【媒介】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技能简朴、本钱低廉获得了遍及的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还陪伴着驱动IC的损坏。如何破?一个符合的电阻就可搞定问题。

　　【问题阐明】

　　上图为典范的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS封锁后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管举办续流，导致VS端发生负压，且负压的巨细与寄生电感与成正比干系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还大概让自举电容过充电导致驱动电路可能栅极损坏。由于IC的驱动端凡是都有寄生二极管，当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时， VT贴片铝电解电容，很大概激发寄生SCR闭锁效应，导致驱动电路彻底损坏。

　　【办理要领】

　　如上图所示，在自举驱动芯片VS端与Q1的源极之间增加一个电阻Rvs，该电阻不只是自举限流电阻，同时照旧导通电阻和关断电阻。由于占空比受自举电容影响，该电阻值一般不能取得较大，推荐值为3~10Ω较为适宜。电阻和自举电容的容值与其充电时间可以由以下公式得出：

　　个中C是自举电容容值，D为最大占空比。

　　致远电子的PV系列光伏电源，内部的MOS驱动技能就辅佐此款产物办理了许多高端MOS的疑难怪症，最终成绩了产物的高靠得住性。200~1200VDC超宽输入电压范畴，长命命、高效率、低纹波噪声、高靠得住性等特点。

　　【其它留意事项】

　　对付减小高端MOS驱动的寄生振荡，除通过增加驱动端的电阻发挥浸染外，在印制电路板的设计中，还可留意以下一些细节，将寄生振荡降到最低。如：自举二极管应紧靠自举电容，功率布线只管短且走线圆滑，直插器件应紧贴PCB以减小寄生电感等。怎么样?赶紧试试吧!