随机存取47UF 35V存储器

随机存取存储器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理

9.3.2 RAM的存储单位
一、静态随机存取存储器（SRAM）的存储单位电路
1．存储单位
2．列选择线Y和读／写节制电路
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单位电路

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116先容
一、集成静态存储器2114A
二、集成动态存储器2116

9.3.4 RAM的扩展
一、RAM的位扩展
二、RAM的字扩展
三、RAM的字、位扩展

9.3 随机存取存储器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理
利益：读写利便， ST电解电容，利用机动。
缺点：掉电丢失信息。

一、 RAM的布局和读写道理

1．存储单位
存储单位由V1～V6构成。两个不变状态，别离存储数据1和0。
2．列选择线Y和读／写节制电路
图中V5、 V6为受列选择线Y节制的门控管，G4、G5和三态门G1～G3组成读／写节制电路。
当列选择线为低电子0时，V7、V8均截至，封闭了存储单位位线与输入/输出端的通路，使存储单位的数据不能读出，也不能被外信号改写。当列选线为高电平1时，V7、V8导通，对存储单位可举办读/写操纵，由读/写节制电路和的状态节制
二、动态随机存取存储器 (DRAM)的存储单位电路
动态存储单位是由MOS管的栅极电容C和门控管构成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容上的电压高暗示存储数据1；电容没有储存电荷，电压为0，表白存储数据0。因存在泄电，使电容存储的信息不能持久保持，为防备信息丢失，就必需按时地给电容增补电荷，这种操纵称为“刷新”，由于要不绝地刷新，所以称为动态存储。
包罗4管MOS动态存储单位电路和单管MOS动态存储单位等

9.3.3 集成随机存储器2114A、2116先容
回收数字电路网络课程或PowerPoint
一、集成静态存储器2114A

Intel2114A是单片1 K×4位（即有1 K个字，每个字4位）的静态存储器（SRAM），它是双列直插18脚封装器件，回收5V供电， 33UF 100V，与TTL电平完全兼容。

二、集成动态存储器2116

Intel 2116单片16 K×1位动态存储器（DRAM），是典范的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件，回收+12V和 5V三组电源供电，其逻辑电平与TTL兼容。

9.3.4 RAM的扩展 （回收数字电路网络课程或PowerPoint并举办接头。）
当单片RAM不能满意存储容量的要求时，这时可把多个单片RAM举办组合，扩展成大容量存储器。
一、RAM的位扩展

二、RAM的字扩展
字扩展就是把几片沟通RAM的数据线并接在一起作为共用输入输出端（即位稳定），读/写节制线也接在一起，把地点线加以扩展，用扩展的地点线去节制各片RAM的片选线 。

三、RAM的字、位扩展
当RAM的位线和字线都需要扩展时，一般是先举办位扩展，然后再举办字扩展。