CK系列电解电容地线上不须要的电压为什么会呈现地弹

图2.16描画了一个抱负逻辑器件管芯引线毗连的四引脚双列直插式封装器件。包括一个发送电路和一个电路。发送电路是推拉输出电路，而事实上任何结构的电路在高速环境下都同样会呈现这一问题。

假定输出驱动器的开关B方才封锁，负载电容C对地放电。跟着电容的下降， 100UF 10V，它积聚的电荷向地，在接地回路上形成一个大的电流离涌，图中标为：I放电。

跟着放电电流成立然后衰减，这一电流变革通过接地引脚的电感起浸染，在器件外的系统地平面与封装内的地之间感到发生了一个电压VGND。这个电压的值便是：

由于输出转换而引起的内部参考地电位漂移称为“地弹”

与满幅值的输出电压对比，地弹电压VGND凡是很小。它不会严重地减弱发送信号，但严重滋扰了吸收。

再来思量同一管芯内的吸收器电路部门。吸收器把输入电压VM与它当地的内部参考地举办差分较量。这个差分运算在图2.16中可以当作毗连到VIN的正输入减去毗连内部地的负输入。因为内部的地携带了VGND噪声脉冲，从输入电路看到的实际电压差便是：

因为输入电路对它的正和负输入之间的差值做出了响应，它无法知道噪声脉冲VGND是被加到负输入，照旧从正输入减去。换句话说，从输入电路看来，VGND脉冲就像是直接叠加在输入信号上的噪声。

假如同一芯片上到N个容性负载相应的N路输出同时转换，会获得N倍的地电流，于是脉冲VGND的增大也靠近N倍。

地弹电压与颠末地线引脚的电流变革率成正比。当驱动容性负载的时候，我们期望变革率看起来像电压的二阶导数一样。参考图2.14， 22UF 50V，电压的二阶导数是一个双峰波形，首先向上隆起，然后向下凹陷。